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Russian Microelectronics のH-Index scoreは 19、Citescoreは1、SNIP scoreは 0.47、SJRはQ3です。
Russian Microelectronics の出版社はPleiades Publishingです。
Russian Microelectronics の主な指標はEditage内の本ページ上部で確認できます。
Russian MicroelectronicsのeISSN番号は1608-3415、pISSN番号は 1063-7397です。
このジャーナルはMaterials science, Heterojunction, Photon counting, Lateral resolution, Simulation, Photoresist, MOSFET, Hydrogen chloride, Plasma processing, Atomic layer deposition, Plasma parameters, Mixing ratio, Mems microphoneを含むトピックに対応しています。
適切なジャーナルを選ぶことで、あなたの研究内容がもっと関連性が高い読者層に届き、研究のインパクトやその分野への貢献度を最大化させることができるからです。
はい、著名なジャーナルから出版することは、あなたの経歴にもプラスに働くため、その後の助成金やキャリアプランにも影響があります。
ハイインパクトジャーナルから出版することはより多くの人の目に研究が触れることになりますが、同時に高い競争率の中から出版に漕ぎつける必要があります。そのため、インパクトファクターと出版にかかる工数のバランスを考慮するべきです。