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IEEE Transactions on Device and Materials Reliability の創刊は 2001 年です。
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability の発行頻度は Quarterlyです。
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability の出版社はIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCです。
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability の主な指標はEditage内の本ページ上部で確認できます。
IEEE Transactions on Device and Materials ReliabilityのeISSN番号は1558-2574、pISSN番号は 1530-4388です。
このジャーナルはElectrostatic discharge, Simulation, Room temperature, Sram cell, Junction temperature, Printed circuit board, CMOS, Flash memory, Redistribution layer, Static noise margin, Nonlinear capacitance, Variable capacitor, Electrochemical migration, Current driver, Electromigration, MOSFET, Single event upset, Power grid, Gate dielectric, Breakdown voltageを含むトピックに対応しています。
適切なジャーナルを選ぶことで、あなたの研究内容がもっと関連性が高い読者層に届き、研究のインパクトやその分野への貢献度を最大化させることができるからです。
はい、著名なジャーナルから出版することは、あなたの経歴にもプラスに働くため、その後の助成金やキャリアプランにも影響があります。
ハイインパクトジャーナルから出版することはより多くの人の目に研究が触れることになりますが、同時に高い競争率の中から出版に漕ぎつける必要があります。そのため、インパクトファクターと出版にかかる工数のバランスを考慮するべきです。