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IEEE Journal of the Electron Devices Society の創刊は 2013 年です。
IEEE Journal of the Electron Devices Society の発行頻度は Continuous publicationです。
IEEE Journal of the Electron Devices Society の出版社はIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCです。
IEEE Journal of the Electron Devices Society の主な指標はEditage内の本ページ上部で確認できます。
IEEE Journal of the Electron Devices SocietyのeISSN番号は2168-6734、pISSN番号は 2168-6734です。
このジャーナルはBreakdown voltage, MOSFET, Room temperature, Magnetic memory, Simulation, Heterojunction, Contact resistance, Frequency analysis, Subthreshold swing, Hysteresis, Urea biosensor, Gate driver, Gate dielectric, Figure of merit, CMOS, Process optimization, Spectral power distribution, Threshold voltage, Power MOSFET, Work functionを含むトピックに対応しています。
適切なジャーナルを選ぶことで、あなたの研究内容がもっと関連性が高い読者層に届き、研究のインパクトやその分野への貢献度を最大化させることができるからです。
はい、著名なジャーナルから出版することは、あなたの経歴にもプラスに働くため、その後の助成金やキャリアプランにも影響があります。
ハイインパクトジャーナルから出版することはより多くの人の目に研究が触れることになりますが、同時に高い競争率の中から出版に漕ぎつける必要があります。そのため、インパクトファクターと出版にかかる工数のバランスを考慮するべきです。